氮化铝单晶材料生长与应用 西安电子科技大学出版社 下载 115盘 pdf snb 夸克云 tct kindle azw3

氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势，是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础，参考国内外的近期新研究成果，详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、最新进展及发展趋势。本书共7章，内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础，物理气相传输法、氢化物气相外延法、金属物化学气相沉积法制备氮化铝单晶和氮化铝器件应用。

本书基于翔实的数据，对氮化铝单晶材料生长的技术方法及应用领域的发展进行了讨论，注重专业性和系统性，具有简明、扼要等特点，可供从事相关研究的科研和工程技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的参考教材。

第1章氮化铝单晶材料的基本性质

1.1氨化铝的应用背景与发展现状

1.2氮化铝的基本物理性质

1.3氮化铝的晶体结构性质

1.4氮化铝的光学性质与能带结构

第2章氮化铝单晶材料生长的物理基础

2.1生长热力学

2.1.1相图

2.1.2表面能与晶体形态

2.2生长动力学

2.2.1过饱和度与过冷度

2.2.2成核

2.2.3表面动力学

第3章氮化铝单晶材料的缺陷

3.1点缺陷

3.1.1本征点缺陷

3.1.2非本征点缺陷

3.2位错

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