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梅花文库 -宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能 陶绪堂 等 编

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宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能 陶绪堂 等 编书籍详细信息

  • ISBN：9787560664446
  • 作者：暂无作者
  • 出版社：暂无出版社
  • 出版时间：2022-09
  • 页数：328
  • 价格：96.00
  • 纸张：胶版纸
  • 装帧：精装
  • 开本：16开
  • 语言：未知
  • 丛书：暂无丛书
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内容简介：

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。

本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书，也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。

书籍目录：

第1章氧化镓简介

1.1引言

1.2氧化镓品体的基本性质

1.2.1结构性质

1.2.2光学性质

1.2.3电学性质

1.2.4热学性质

1.3总结与展望

参考文献

第2章氧化镓体块单晶生长

2.1氧化镓单晶提拉法生长

2.1.1提拉法简介

2.1.2提拉法生长氧化物晶体

2.1.3提拉法氧化镓单晶生长探索及进展

2.1.4提拉法晶体生长中的螺旋生长现象

2.2氧化镓单晶导模法生长

……

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  • 思想传递：4分

  • 知识深度：6分

  • 知识广度：9分

  • 实用性：9分

  • 章节划分：8分

  • 结构布局：9分

  • 新颖与独特：6分

  • 情感共鸣：8分

  • 引人入胜：9分

  • 现实相关：4分

  • 沉浸感：3分

  • 事实准确性：8分

  • 文化贡献：5分

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ISBN：9787560664446
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出版日期：2022-09
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